مقایسه خواص ترابرد الکترونی در نیمرساناهای GaAs و 6H-SiC در میدان های الکتریکی شدید با استفاده از شبیه سازی آنسامبلی مونت کارلو
Publish place: Iranian Physics Conference 1387
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,069
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_305
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
Abstract:
خواص ترابرد الکترونها در نیمرسانای 6H-SiC در میدان های الکتریکی شدید با استفاده از شبیه سازی آنسامبلی انجام پذیرفته است. در این شبیه سازی از مدلی سه دره ای با در نظر گرفتن پراکندگی الکترونها از ارتعاشات شبکه و عوامل ناخالصی استفاده شده است. مشخصه های ترابرد الکترونها در 6H-SiC در مقایسه با GaAs نشان می دهد که سرعت سوق الکترونی در دو ماده تقریبا با هم برابر بوده، ولی میدان الکتریکی آستانه 6H-SiC تقریبا پنجاه برابر GaAs است. لذا می توان از 6H-SiC در ساخت قطعات الکترونیکی در میدان های الکتریکی شدیدتر استفاده نمود.
Authors