محاسبه تابع توزیع حاملها در گالیوم آرسناید با استفاده از روش مونت کارلو

Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,018

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

IPC87_314

تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388

Abstract:

تابع توزیع حاملها در نیمه رسانای GaAs برای فرایندهای پراکندگی همسانگرد و ناهمسانگرد به وسیله روش مونت کارلو محاسبه می شود. ما مکانیزم های پراکندگی فونون اپتیکی قطبی، فونون اپتیکی غیر قطبی، پتانسیل تغییر شکل پراکندگی فونون آکوستیکی و پراکندگی ناخالصی یونیزه شده را در نظر می گیریم.

Authors

عادله مخلص گرامی

دانشکده فیزیک دانشگاه گیلان

حمید رحیم پور سلیمانی

دانشکده فیزیک دانشگاه گیلان