رفتار اکسیتون در چاه کوانتومی GaAs/Ga AlAs در حضور میدان مغناطیسی یکنواخت در حد دو و سه بعدی
Publish place: Iranian Physics Conference 1387
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,675
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_325
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
Abstract:
انرژی بستگی اکسیتون در چاه کوانتومی دوگانه جفت شده GaAs /GaAlAs در حضور میدان مغناطیسی یکنواخت که در جهت رشد لایه اعمال شده است را مطالعه کردیم. در تقریب جرم موثر و با استفاده از روش وردشی ، حالتهای اکسیتونی با تابع آزمایشی هیدروژن گونه 1S، در حد دو بعدی و سه بعدی بدست آورده شد و نشان دادیم که با افزایش میدان مغناطیسی، انرژی بستگی در تمام حدها مشابه تغییر در ابعاد ساختار افزایش می یابد. همچنین برای سدهای نازک و میدانهای قوی، تابع موج دو بعدی اکسیتون منجر به نتایج بهتری می شود، برای پهناهای بزرگ ساختار و میدانهای ضعیف نیز، حالتهای سه بعدی به نتایج دقیق تری منجر می شود.
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :