بررسی تاثیر چگالی ناخالصی در مدولاتور های الکتروجذبی در ساختارهای چاه کوانتومی AlN-GaN-AlGaN-AlN برای کار در طول موج مخابرات نوری
Publish place: Iranian Physics Conference 1387
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,199
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_344
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
Abstract:
در این مقاله اثر افزودن ناخالصی در مدولاتورهای الکتروجذبی سرعت بالا بر پایه اثر جابجایی اشتارک تشدید زیر باندی در ساختارهای پله ای GaN-AlGaN -AlN برای دستیابی به طول موج λ= 1.55µm مورد بررسی قرار می گیرد. محاسبات نشان می دهدکه با افزودن ناخالصی، زیر ترازهای انرژی داخل چاه کوانتومی تغییر وبنابراین میدان الکتریکی لازم برای دستیابی به طول موج مد نظر نیزکاھش می یابد.
Authors
نعیمه طهماسبی زاد
دانشکده فیزیک دانشگاه تربیت معلم آذربایجان
اصغر عسگری
پژوهشکده فیزیک کاربردی،دانشگاه تبریز
منوچهر کلافی
پژوهشکده فیزیک کاربردی،دانشگاه تبریز