مشخصه یابی ارزیابی رفتار دی الکتریک لایه های نازک تیتانات استرانسیم دوپ شده با منیزیم
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 418
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IMES12_284
تاریخ نمایه سازی: 11 اردیبهشت 1398
Abstract:
لایه های نازک تیتانات استرانسیم خالص دوپ شده با مقادیر 10، 15 20 درصد منیزیم با استفاده ازفرایند رسوب نشانی فاز مایع بر روی زیرلایه های آلومینایی تهیه شدند. خواص ساختاری دی الکتریک نمونههای آنیل شده در دمای 700 درجه سانتیگراد به مدت ساعت اندازه گیری تاثیر افزودن منیزیم بر این خواصمورد بررسی مطالعه قرار گرفت. نتایج حاکی از ورود یون های منیزیم به ساختار پروسکایت محلول جامد بدونظهور هرگونه فاز ثانویه تا 15 درصد مولی منیزیم بود. زمانیکه مقدار منیزیم دوپ شده به 20 درصد مولی رسید،فاز ثانویه MgO در ترکیب مشاهده شد. ثابت اتلاف دی الکتریک نمونه ها با افزایش مقدار منیزیم به ترتیب افزایش کاهش داشت. حداکثر مقدار ثابت (ε(r)-280) حداقل اتلاف دی الکتریک (tanδ=0/0018) در 15 درصد مولی منیزیم بدست آمد. افزایش مقدار منیزیم به 20 درصد منجر به افت شدید ثابت دی الکتریک افزایشچشمگیر اتلاف دی الکتریک نمونه ها به دلیل حضور فاز ثانویه شد.
Keywords:
Authors
مهسا هارونی
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی مواد متالورژی دانشگاه کاشان
عباس صادق زاده عطار
استادیار گروه مهندسی مواد متالورژی دانشگاه کاشان