یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین
عنوان مقاله: یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین
شناسه ملی مقاله: CHKI01_024
منتشر شده در اولین همایش ملی فناوریهای نوین در علوم مهندسی در سال 1389
شناسه ملی مقاله: CHKI01_024
منتشر شده در اولین همایش ملی فناوریهای نوین در علوم مهندسی در سال 1389
مشخصات نویسندگان مقاله:
پیمان کرمی - کارشناسی ارشد مهندسی برق گرایش الکترونیک، قزوین، بولوار پژوهشگران،
توحید زرگر ارشادی - دکترای مهندسی برق گرایش مخابرات
خلاصه مقاله:
پیمان کرمی - کارشناسی ارشد مهندسی برق گرایش الکترونیک، قزوین، بولوار پژوهشگران،
توحید زرگر ارشادی - دکترای مهندسی برق گرایش مخابرات
در طراحی تقویت کننده های عملیاتی دو طبقه در صورتی که از روش جبرانسازی میلری استفاده شود مدار پایدارتر خواهد شد. بهره DC این تقویت کننده بالا و مقدار THD آن پایین می باشد. افت توان در این مدار پایین و جریان بایاس آن کوچک می باشد. این مدار سوئینگ ولتاژی در حدود 1Vp-p داشته و ابعاد آن در صورت استفاده از تکنولوژی 0.18µm ، کوچک خواهد بود. در نتیجه این تقویت کننده برای استفاده در سیستم های الکترونیکی و مخابراتی مناسب می باشد
کلمات کلیدی: بهره ، تفاضلی ، دو طبقه ، CMOS ، 0.18µm
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/84342/