CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین

عنوان مقاله: یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین
شناسه ملی مقاله: CHKI01_024
منتشر شده در اولین همایش ملی فناوریهای نوین در علوم مهندسی در سال 1389
مشخصات نویسندگان مقاله:

پیمان کرمی - کارشناسی ارشد مهندسی برق گرایش الکترونیک، قزوین، بولوار پژوهشگران،
توحید زرگر ارشادی - دکترای مهندسی برق گرایش مخابرات

خلاصه مقاله:
در طراحی تقویت کننده های عملیاتی دو طبقه در صورتی که از روش جبرانسازی میلری استفاده شود مدار پایدارتر خواهد شد. بهره DC این تقویت کننده بالا و مقدار THD آن پایین می باشد. افت توان در این مدار پایین و جریان بایاس آن کوچک می باشد. این مدار سوئینگ ولتاژی در حدود 1Vp-p داشته و ابعاد آن در صورت استفاده از تکنولوژی 0.18µm ، کوچک خواهد بود. در نتیجه این تقویت کننده برای استفاده در سیستم های الکترونیکی و مخابراتی مناسب می باشد

کلمات کلیدی:
بهره ، تفاضلی ، دو طبقه ، CMOS ، 0.18µm

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/84342/