نرجس سیف پور - گروه شیمی، دانشکده علوم، دانشگاه گلستان، گرگان، ایران
علیرضا گودرزی - گروه پلیمر، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه گلستان، گرگان، ایران

یکی از چالش های مهم در زمینه سلول های خورشیدی پیدا کردن مواد نیمه هادی با شکاف باند مناسب و ضریب جذب بالا می باشد. سولفید مس نیمه رسانا ی نوع p، با باند گپ مستقیم 2.2 الکترون ولت است. و کارایی زیادی در صنعت فتوولتاییک، کاتالیستی، سل های جاذب و ... دارد. در این مطالعه نانو ذرات و لایه های نازک نانو ساختار سولفید مس بر روی زیر لایه های شیشه ای به روش رسوب گذاری محلول شیمیایی آبی و با استفاده از مواد با سمیت کمتر انجام گرفت. اثر زمان واکنش بر خواص نوری، پهنای باند گپ و هم چنین اندازه نانو ذرات لایه نشانی شده مورد بررسی قرار گرفت. نتایج پراش اشعه ایکس (XRD)، نشان داد که سولفید روی حاصل از لایه نشانی ساختارهگزاگونال داشته واندازه نانو ذرات در حدود 20.3 نانومتر میباشد. داده های حاصل از طیف سنجی UV-Vis، بیانگر افزایش میزان جذب لایه ها با افزایش زمان و هم چنین کاهش باند گپ (2.51-2.21) می شود.

سولفید مس، لایه های نازک، باند گپ