Evaluation of the Alloy Scattering in Limiting the Hole Mobility of Si/SiGe/Si Based Fileld Effect Nanotransistors
Publish place: 03rd Conference on Nanostructures
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 2,104
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CNS03_267
تاریخ نمایه سازی: 21 دی 1388
Abstract:
This paper explains the theoretical evaluation of alloy disorders in two dimensional hole gas confined in the strained p-Si/SiGe/Si structures which has been detemined via a self consistence approach. By comparing the Hall mobility measured at 4.2K with calculated results we deduce that the alloy scattering is the most dominant mechanism in limiting hole mobility of SiGe based nanotransistors. The value of dE = 0.6± 0.1eV has been estimated for alloy potential fluctuations.
Keywords:
Authors
M.A Sadeghhzadeh
Department of Physics, Yazd University, Yazd, ۸۹۱۹۵-۷۴۱, Iran
S.M Azizi
Department of Physics, Yazd University, Yazd, ۸۹۱۹۵-۷۴۱, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :