A Proposed Structure for Reducing Bias Voltages in Nanoscale Impact Ionization MOS Devices
Publish place: 03rd Conference on Nanostructures
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 2,789
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CNS03_283
تاریخ نمایه سازی: 21 دی 1388
Abstract:
In order to decrease bias voltages in nanoscale IMOS devices we have proposed a new double gate IMOS structure with SiGe channel (DG-SGOI IMOS) in this paper. In comparison with single gate SOI IMOS and our previously reported Single Gate SiGe-On-Insulator IMOS (SGOI IMOS) structures, this device can provide even more reduction in the source voltage as well as in threshold voltage.
Keywords:
Authors
Maryam. Nayeri
Islamic Azad University, Yazd Branch, Iran
M Fathipour
School of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, Iran
H Nematian
Islamic Azad University, Science and Research Branch, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :