احمد اتقیایی - استادیار، گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اسلامشهر، استان تهران

در این مقاله، پیاده سازی یک مدل ساده و جدید به نام ATON را ارایه می کنیم. ATON را منحصرا برای مدل سازی ممریستور اکسید نایوبیوم در نظر گرفته ایم. ورودی ATON، تنها 9 کمیت فیزیکی است. خروجی ATON، منحنی و داده های عددی تغییرات مقاومت ممریستور بر حسب ولتاژ دو سر آن است ATON را در محیط متلب، تولید کرده ایم. برای راستی آزمایی ATON، منحنی جریان – ولتاژ آن را با نتایج اندازه گیری ساخت مقایسه می کنیم. فرم تابعی منحنی جریان – ولتاژ ATON، مطابق منحنی ساخت می باشد. حداکثر خطای سیستماتیک مطلق جریان ATON، 8.9 میلی آمپر است. خروجی ATON، نشان می دهد که مقدار مقاومت حالت قطع ممریستور برابر با 280 کیلو اهم و مقدار مقاومت حالت وصل آن برابر با 9 اهم است. محدوده ولتاژ مجاز کاری ممریستور را ازصفر ولت تا 10 ولت استخراج کرده ایم. مقدار ولتاژ مرزبین حالت وصل و قطع را 6.51 ولت به دست آورده ایم. بهترین محدوده مقاومت تفاضلی منفی، بین 20 کیلو اهم تا 75 کیلو اهم است. ولتاژ بایاس متناظر با محدوده مقاومت تفاضلی منفی را به ترتیب 0.8 ولت تا 0.1 ولت به دست آوردیم. دمای کار را 298 درجه کلوین و محدوده ولتاژ را مثبت گرفتیم.

ممریستور، نانو کلید الکترونیکی، مدل متلب، مقاومت تفاضلی منفی