زمان تونل زنی قطبیده اسپینی در سدهای تکی و دوتایی از نیمرسانای مغناطیسی رقیق II-IV
Publish place: Iranian Physics Conference 1388
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,044
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_053
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
Abstract:
در این مقاله، زمان تونل زنی وابسته به اسپین در دو نمونه نانو ساختار نامتجانس سه لایه ای و پنج لایه ای متشکل از ZnSe / ZnMnSe تحت تاثیر میدان های الکتریکی و مغناطیسی به طور نظری بررسی و مقایسه می شوند. لایه های ZnMnSe در حضور میدان مغناطیسی به صورت فیلتر اسپینی عمل می کنند. بنابراین زمان تونل زنی رفتار متفاوتی را در عبور از دو ساختار مذکور نشان می دهد. زمان تونل زنی برای الکترونها به انرژی فرودی، مقدار میدان خارجی و جهت گیری اسپین الکترونها وابسته است. نتایج بدست آمده از این مقاله می تواند در طراحی و ساخت وسایل الکترونیکی سرعت بالا مفید واقع شود.
Authors
مرجان سمندرعلی اشتهاردی
گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور ( مرکز مشهد)
علی اصغر شکری
گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور( مرکز تهران) -آزمایشگاه تحقیقاتی علوم مح