حمیدرضا دهقانپور - دانشکده مهندسی هسته ای و فیزیک دانشگاه صنعتی امیرکبیر ، تهران
پرویز پروین - دانشکده مهندسی هسته ای و فیزیک دانشگاه صنعتی امیرکبیر ، تهران
بتول سجاد - گروه فیزیک دانشگاه الزهرا ، تهران
امین بصام - دانشگاه صنعتی مالک اشتر پردیس تهران

اگر لیزر کانونی UV در مجاورت گاز SF6 بر سطح سیلیکون بتابد و نقطه کانونی در نزدیکی سطح باشد به علت جذب بالای سیلکون در طول موجهای UV با پدیده ذوب سطحی و همزمان با آن پدیده تشدید امواج سطحی مواجه هستیم. ظاهرا به همین علت است که بر سطح سیلیکون میکروساختاری با شکل منظم و عنصر تکراری مخروط ایجاد می گردد. در خواص هندسی عناصر تشکیل دهنده میکروساختار منظم خود انگیخته فشار گاز SF6 نقش اساسی ایفا می کند در این مقاله این نقش به صورت تجربی و نیز با ارائه مدلی مناسب به صورت نظری مورد بررسی قرار گرفته است.