مرتضی فتحی پور - دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران ،آزمایشگاه مدل سازی و شبیه سازی
رضا آزادواری - دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران ،آزمایشگاه مدل سازی و شبیه سازی

در این مقاله تاثیر بکارگیری تکنیک صفحه میدان درونی بر افزایش ولتاژ شکست و جریان درین _ سورس در ترانزیستورهای قدرت با قابلیت حرکت بالای الکترون مبتنی بر AlGaN/GaN را مورد بررسی قرار داده ایم. در ساختار صفحه میدان درونی، صفحه میدان درونی به گیت متصل می باشدوتک صفحه میدان به سورس متصل می باشد.شیوه طراحی قانونمندی برای افزاره با صفحه میدان درونی ارائه شده است که در آن از شبیه سازی دو بعدی جهت بیشینه نمودن همزمان درین – سورس و ولتاژشکست به کار گرفته می شود. با استفاده از تحلیل عددی نشان داده ایم که صرفا با بهینه سازی ضخامت لایه غیر فعال کننده Si3N4 در زیر تک صحفه میدان ، طول صفحه میدان درونی در فاصله بین گیت- درین و طول تک صفحه میدان در فاصله بین سورس- درین، در ساختار صفحه میدان درونی بیشترین بهبود در بیشینه ولتاژ شکست و بیشینه جریان درین _ سورس به دست می آید.