تأثیرتوزیع میدان الکتریکی بر آستانه تخریب لیزری چند لایه ها
Publish place: Iranian Physics Conference 1388
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 958
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_180
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
Abstract:
جذب پرتو لیزر در لایه نشانی های چند لایه، با شدت میدان الکتریکی متناسب است. کاهش شدت میدان الکتریکی، منجر به افزایش آستانه تخریب لیزری می گردد. می توان شدت میدان الکتریکی را با تغییر طراحی لایه ها، کاهش داد. در این مقاله به بررسی اثر کاهش شدت میدان الکتریکی در بالا بردن آستانه تخریب لیزری چند لایه ها می پردازیم.
Authors
هاشم حجتی راد
پژوهشکده لیزر و اپتیک ، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای
محمدهادی ملکی
پژوهشکده لیزر و اپتیک ، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای
سعید باطنی
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه گیلان
قاسم عزیزآبادی
پژوهشکده لیزر و اپتیک ، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای