هاجر کاویانی باغبادرانی
منوچهر کلافی
اصغر عسگری
سمیه اسدزاده

در این مقاله پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه ی سوم در نقط هی کوانتومی هرم ناقص InAs/GaAs محاسبه می شود. مدل ما برای بررسی خواص نوری و ساختار الکترونیکی بر پایه ی تقریب جرم موثر و به روش بسط موج تخت است. نتایج بدست آمده نشان میدهد که با افزایش حجم نقطه کوانتومی ، پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه ی سوم افزایش یافته و قله مربوطه به سمت انرژی های پایین تر جابجا میشود.