مقایسه خواص ترابرد الکترونی در حالت پایدارنیمرساناهای AlN ،InN و GaN با استفاده از روش مونت کارلو در میدان الکتریکی بالا
Publish place: Iranian Physics Conference 1388
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,075
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_288
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
Abstract:
در این مقاله برای مقایسه خواص ترابرد الکترون در InN ,AlN ,GaN از روش مونت کارلو استفاده شده است. در هر سه مورد دریافتیم ،الکترون تنها وقتی بالاترین سرعت را کسب می کند که میدان الکتریکی به مقادیر بالاتر از میدان آستانه افزایش یابد. میدان آستانه شدیداً به ماده بستگی دارد، طوری که در KVm-1 InN 7900 در AlN حدود (فرمول در متن اصلی موجود می باشد) برای GaN می باشد. در میدانهای الکتریکی بالا سرعت سوق کاهش می یابد و به مقدار اشباع GaN و InN حدود (فرمول در متن اصلی موجود می باشد) و در AlN به حدود (فرمول در متن اصلی موجود می باشد) می رسد.
Authors
زهرا اسلامی مقدم
گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم سبزوار
مسعود مجیدیان
گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم سبزوار
هادی عربشاهی
گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد