رشد تک بلور KTiOPO4 به روش غوطه وری در فلاکس با هسته گذاری بر روی سیم پلاتینی
عنوان مقاله: رشد تک بلور KTiOPO4 به روش غوطه وری در فلاکس با هسته گذاری بر روی سیم پلاتینی
شناسه ملی مقاله: IPC88_298
منتشر شده در کنفرانس فیزیک ایران 1388 در سال 1388
شناسه ملی مقاله: IPC88_298
منتشر شده در کنفرانس فیزیک ایران 1388 در سال 1388
مشخصات نویسندگان مقاله:
شیرین امینیان تبریزی - آزمایشگاه رشد بلور ،گروه فیزیک ، دانشگاه سمنان
مجید جعفر تفرشی - آزمایشگاه رشد بلور ،گروه فیزیک ، دانشگاه سمنان
مصطفی فضلی - گروه شیمی ، دانشگاه سمنان
خلاصه مقاله:
شیرین امینیان تبریزی - آزمایشگاه رشد بلور ،گروه فیزیک ، دانشگاه سمنان
مجید جعفر تفرشی - آزمایشگاه رشد بلور ،گروه فیزیک ، دانشگاه سمنان
مصطفی فضلی - گروه شیمی ، دانشگاه سمنان
تک بلور KTiOPO4 به ابعاد2×3×4 mm3 از طریق هسته گذاری بر روی سیم پلاتینی غوطه ور در محیط فلاکس رشد داده شد . مقایسه بین مورفولوژی بلور رشد یافته و مورفولوژی بلور ایده ال KTP نشان داد که مورفولوژی بلور کامل بوده و تمام صفحات بلوری شکل گرفته اند . بلور رشد یافته از شفافیت خوبی برخوردار بود .
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/85713/