مقاومت دیفرانسیلی منفی در ساختار ناهمگون GaAs/AlxGa1-xAs
Publish place: Iranian Physics Conference 1388
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,382
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_301
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
Abstract:
در این مقاله نشان داده ایم که میدان الکتریکی موازی آستانه برای بروز پدیده مقاومت دیفرانسیلی منفی (NDR) بیشینه چگالی جریان درساختار GaAs/AlGaAs به وسیله تحرک پذیری حامل ها و میزان آلایش کنترل میشود. محاسبات ما نشان میدهد که میدان آستانه NDR برای ارتفاع سد 0/1ev و غلظت (فرمول در متن اصلی موجود می باشد) حدود 3/5KV/cm می باشد که با نتایج تجربی توافق خوبی دارد.
Authors
قاسم انصاری پور
گروه حالت جامد، دانشکده فیزیک دانشگاه یزد
الناز محرابی پور
دانشگاه آزاد اسلامی واحد مبارکه
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :