قاسم انصاری پور - گروه حالت جامد، دانشکده فیزیک دانشگاه یزد
الناز محرابی پور - دانشگاه آزاد اسلامی واحد مبارکه

در این مقاله نشان داده ایم که میدان الکتریکی موازی آستانه برای بروز پدیده مقاومت دیفرانسیلی منفی (NDR) بیشینه چگالی جریان درساختار GaAs/AlGaAs به وسیله تحرک پذیری حامل ها و میزان آلایش کنترل میشود. محاسبات ما نشان میدهد که میدان آستانه NDR برای ارتفاع سد 0/1ev و غلظت (فرمول در متن اصلی موجود می باشد) حدود 3/5KV/cm می باشد که با نتایج تجربی توافق خوبی دارد.