عبدالرسول مقاتلی - دانشجوی ارشد دانشگاه آزاد واحد بوشهر
حسین مومن زاده - عضو هیات علمی دانشگاه آزاد واحد بوشهر
محمد نادر کاکایی - هیت علمی دانشگاه آزاد واحد بوشهر

در این مقاله، به ارایه یک ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب کننده ارایه شده در شبیه ساز HSPICE شبیه سازی شده است. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که مدار قابلیت عملکرد مطلوب را تا فرکانس 2 گیگا هرتز ، مصرف توان ماکزیمم  3.7464µw و همچنین دارای THD  0.226043% می باشد.

ترانزیستور نانو لوله کربنی, ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی, مد جریان, مدار مجذور کننده جریان