مقایسه ی رشد ترجیحی فیلمهای اکسید روی با دو روش تبخیر با پرتو الکترونی و کند و پاش با بسامد رادیویی
Publish place: Iranian Physics Conference 1388
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,059
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_361
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
Abstract:
فیلم های نازک ZnO بر روی بسترهای شیشه ای با دو روش تبخیر با پرتو الکترونی و کند و پاش با بسامد رادیویی رشد داده شدند. اثر بازپخت هم در خلأ و هم در هوا بر رشد ترجیحی فیلم های تهیه شده به روش اول بررسی شدند. برای بررسی جهت رشد فیلم ها، الگوی پراش پرتو ایکس همه ی نمونه ها تهیه شدند. این الگوها نشان میدهند که میتوان با روش کند و پاش بدون بازپخت، فیلم های اکسید روی با جهت گیری ترجیحی ( 002 ) تهیه کرد. رشد در این جهت، یکی از شرط های لازم برای بروز اثر پیزوالکتریک در این فیلم هاست که کاربردهای بسیاری دارند.
Authors
الهه طلایی پاشیری
گروه فیزیک دانشگاه اصفهان
سید محمد حسن فیض
گروه فیزیک دانشگاه اصفهان
مرتضی مظفری
گروه فیزیک دانشگاه اصفهان
حمید رضا فلاح
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نشانی، دانشگاه اصفهان