شبیه سازی عددی رشد استوکیومتریک نقطه های کوانتومی SiC در یک راکتور پلاسمایی
Publish place: Iranian Physics Conference 1388
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 950
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_371
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
Abstract:
رشد نقطه های کوانتومی (100) SiC/Si و بررسی فرایند رسیدن به یک ترکیب با استوکیومتریک بالا( [Si]/[C]=1:1) در حضور پلاسما، دارای اهمیت ویژه ای در صنعت میکرو/ نانوالکترونیک است. شبیه سازی عددی رشد نقطه های کوانتومی برای دو محیط پلاسما و گاز خنثی نشان می دهد که پلاسما نسبت به گاز خنثی دارای کارایی بهتری برای رسیدن به نقطه های کوانتومی استوکیومتریک SiC است. همچنین نتایج نشان می دهند که درحضور پلاسما آهنگ رشد بزرگتر بوده فاکتور استوکیومتریک اضافه اتم k St، در شرایط مشابه، نسبت به گاز خنثی بیشتر است.
Authors