عباس شاه بندی قوچانی

  به کمک تقریب دی الکتریک پیوسته، مدهای فونون های اپتیکی حاصل از فصل مشترک یک سیم کوانتومی استوانه ای از جنس GaAs در یک محیط نیمه رسانای قطبی GaxAl1-xAs بررسی شده است. نتایج به دست آمده دو شاخه متفاوت ( SO1, SO2 ) از مدهای فونونی سطحی را نشان می دهند. با افزایش بردار موج ( )، بسامد هر یک از مدهای فونونی به بسامد یک ساختار صفحه ای تخت نا متجانس همگرا می شود.

نانوسیم کوانتومی, مدهای فونونی, فونون های اپتیکی, نیمه رسانای قطبی