مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی NiO/PVCبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور
Publish place: Iranian Journal of Applied Physics، Vol: 2، Issue: 2
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 368
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JAPAZ-2-2_005
تاریخ نمایه سازی: 18 خرداد 1398
Abstract:
در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا به عنوان جایگزین مناسب برای گیت دی الکتریکترانزیستورهای اثر میدانی آلی پیشنهاد شده اند خواص نانوساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت هیبریدی پلی وینیلکلرید و اکسید نیکل را با مقادیر مختلف از ماده ی آلی، دردمای ] 1 [ . اخیرا_ غیر آلی، شامل اکسید های فلزی،] - 2 4 .[ در این مقاله08 درجه سانتی گراد، به روش سل ژل، سنتز نمودیم. در این –آزمایش ها، نسبت درصد وزنی ماده ی آلی به اکسید نیکل 10588 و 10258و 10125 بوده است )در تمام مقاله غلظت ها به ترتیب با علامت های I ،II ویژگی های نانوساختاری نمونه ها را با تکنیک های پراش اشعه یایکس نیروی اتمیهایی از نانوپودرهیبریدی با استفاده از دستگاه ، III نشان داده شده اند.() XRD (، طیف سنجی مادون قرمزتبدیل فوریه) FTIR ( و میکروسکوپ) AFM ( بررسی نمودیم. برای توصیف خواص الکتریکی، قرصNiO/PVC تهیه و به محاسبه ی ظرفیت خازنGPS 132 A پرداخته و ثا بت دی الکتریک آن ها2را محاسبه کردیم. با استفاده از تحلیل داده های تجربی و را بطهپل فرانکل که میزان جریان نشتی را بر حسب ثابت دی الکتریک تعیین -می کند، دریافتیم که نمونه دمای بالاتر، چینش سطحی ذرات بهتر و همچنین زبری سطح کمتر و در نتیجهدارای جریان نشتی کمتر می باشد. از این رو می تواند به عنوان یکماده ی دی الکتریک مناسب برای ادوات آتی ترانزیستور اثر میدانیآلی NiO/PVC با درصد وزنی 10258 که در08 درجه سانتی گراد سنتز شده است دارای ثابت دی الکتریک(OFET) معرفی گردد.
Keywords:
نانو کامپوزیت هیبریدی , NiO/PVC روش سل ژل ترانزیستور های OFET
Authors
علی بهاری
دانشگاه مازندران
امیر حیاتی
دانشگاه مازندران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :