اثر دما بر چگالی جریان در ترانزیستور اثر مدانی نانونوار گرافینیی
Publish place: Iranian Journal of Applied Physics، Vol: 3، Issue: 2
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 466
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JAPAZ-3-2_006
تاریخ نمایه سازی: 18 خرداد 1398
Abstract:
گرافین، به دلیل تحرک الکترونی بالا و انعطاف پذیری، برای ساخت قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد بالا در چند سال اخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (GNRFET) بررسی میکنیم که در آن کانال متشکل از آرایهای از نانو نوارهای گرافینی دسته صندلی میباشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروستاتیکی کمینهای که از حل تقریبی معادله پواسون تقریبی با شرایط مرزی مناسب به دست می آید، در مقادیر متفاوت ولتاژهای گیت بالا و پایین محاسبه می نماییم. نتایج ما نشان میدهند اثر دما بر منحنی مشخصه جریان-ولتاژ به لحاظ کمی قابل ملاحظه است به طوری که با بالا رفتن دما، چگالی جریان بشدت افزایش یافته و این افزایش در دماهای بالاتر، بیشتر است. همچنین با افزایش ولتاژ گیت بالا و گیت پایین، شیب منحنی جریان برحسب دما تندتر میباشد. .
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :