بررسی اثر همشنوایی از طریق بستر در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس با عایق دو لایه
Publish place: Fifth International Conference on Quality Research in Electrical and Mechatronics Electrical Engineering
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 394
This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF05_064
تاریخ نمایه سازی: 21 خرداد 1398
Abstract:
ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (SOI) برای استفاده در کاربردهای RF و چند سیگناله ویژگی های مناسبی از خود نشان می دهند. ترانزیستور موردنظر در این مقاله نیز از نوع سیلیکون روی الماس (SOD) بوده ودارای یک لایه عایق اضافی اکسید سیلیکون می باشد، این لایه برای بهبود اثرات کانال کوتاه استفاده شده است. در این مقاله مدل سیگنال کوچک این نوع از افزاره بدست آمده است. المان های مدار معادل سیگنال کوچک این افزاره به طور کامل اندازه گیری و محاسبه شده اند. با استفاده از مدل سیگنال کوچک بدست آمده، مشخصه همشنوایی برای این ترانزیستور با استفاده از شبیه سازی بدست آمده است.
Keywords:
Authors
فهیمه بیک زاده
گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد، ایران
آرش دقیقی
دانشیار گروه مهندسی برق، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد، ایران