بهینه سازی گیت های اصلی تریجیتال با استفاده از ترانزیستور های اثر میدان MOSFET و معرفی گیت های 3NOR و 3NAND
Publish place: Fifth International Conference on Quality Research in Electrical and Mechatronics Electrical Engineering
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 444
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF05_182
تاریخ نمایه سازی: 21 خرداد 1398
Abstract:
سیستم تریجیتال مشابه دیجیتال است، با این تفاوت که از نوعی منطق سه سطحی پیروی می کند. ساخت گیت های منطقی با تکنولوژی ترانزیستورهای دوقطبی دارای مشکلات زیادی از جمله تلفات بالای توان و انرژی و کاهش سطح ولتاژ هستند. این امر کار مجتمع سازی این نوع گیت ها در طراحی مدارات پیشرفته و پیچیده را با سختی مواجه می سازد. لذا در این مقاله قصد داریم گیت های اصلی سیستم تریجیتال را با استفاده از ترانزیستور های اثر میدان، MOSFET، بازسازی نماییم و به معرفی دو گیت اساسی 3NOR و 3NAND بپردازیم.
Authors
نریمان محمدی
گروه برق ، دانشکده فنی مهندسی ، دانشگاه سلمان فارسی کازرون ، فارس، ایران
شهاب صفایی جهرمی
گروه برق ، دانشکده فنی مهندسی ، دانشگاه سلمان فارسی کازرون ، فارس، ایران
حمیدرضا قوهستانی
عضو هیات علمی دانشکده برق و الکترونیک ، دانشگاه سلمان فارسی کازرون ، فارس، ایران