بهینه سازی حساسیت خط مرجع ولتاژ کم توان با استفاده از ساختار نوین دوطبقه در زیرآستانه

Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 262

This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_TJEE-48-3_028

تاریخ نمایه سازی: 17 تیر 1398

Abstract:

در این مقاله روشی نوین به منظور ارتقاء حساسیت خط ولتاژ مرجع خروجی در مراجع ولتاژ کم توان با ولتاژ تغذیه ی پایین ارائه شده است. در توپولوژی جدید پیشنهادی یک مرجع ولتاژ شکاف انرژی در طبقه ی اول قرارگرفته و با تغذیه ی یک مرجع ولتاژ حرارتی در طبقه ی دوم از ولتاژ خروجی طبقه ی اول سبب می گردد، حساسیت خط به طور چشمگیری بهبود یابد. ساختار ارائه شده نسبت به مدارهای مشابه از حساسیت خط بهتر و در حدود 0.079 برخوردار می باشد. به کارگیری مدار در ناحیه ی زیر آستانه، طراحی بهینه و حداقل منبع تغذیه ی mV 250 منجر به اتلاف توان pW 36.2 می گردد که آن را در رده ی مراجع بسیار کم مصرف قرار می دهد. مدار پیشنهادی در تکنولوژی um CMOS 0.18 شبیه سازی شده و همچنین به منظور ارزیابی در شرایطی نزدیک به واقعیت، اثرات عدم تطابق المان ها و تغییر فرآیند نیز در عملکرد ساختار مورد مطالعه قرارگرفته است.

Authors

محمد عظیمی دستگردی

دانشکده مهندسی برق - دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

مهدی حبیبی

دانشکده مهندسی برق - دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

مهدی دولتشاهی

دانشکده مهندسی برق - دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • نظری و یاوند حسنی، طراحی یک تقویت کننده کم نویز ... [مقاله ژورنالی]
  • پروین، محمدپور و امیدوار، ارائه روشی مبتنی بر پوشش سراسری ... [مقاله ژورنالی]
  • B.Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits. New York McGraw-Hill ...
  • T. C. Carusone, A. David, D. A. J. Tony Chan ...
  • A. Wang and A. Chandrakasan, A 180-mV subthreshold FFT processor ...
  • S.-C. Luo and L.-Y. Chiou, A sub-200-mV voltage-scalable SRAM with ...
  • I. Filanovsky and A. Allam, Mutual compensation of mobility and ...
  • H. Banba, H. Shiga, A. Umezawa, T. Miyaba, T. Tanzawa, ...
  • Y. Yang, D. M. Binkley, L. Li, C. Gu, and ...
  • B.-D. Yang, 250-mV supply subthreshold CMOS voltage reference using a ...
  • G. De Vita and G. Iannaccone, A Sub-1-V, 10 ppm/˚C, ...
  • L. Magnelli, F. Crupi, P. Corsonello, C. Pace, and G. ...
  • D. Albano, F. Crupi, F. Cucchi, and G. Iannaccone, A ...
  • H. Luo, Y. Han, R. C. Cheung, G. Liang, and ...
  • P. Kinget, C. Vezyrtzis, E. Chiang, B. Hung, and T. ...
  • A. Boni, Op-amps and startup circuits for CMOS bandgap references ...
  • A.-J. Annema, P. Veldhorst, G. Doornbos, and B. Nauta, A ...
  • Y. Wang, Z. Zhu, J. Yao, and Y. Yang, A ...
  • نمایش کامل مراجع