ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings
Login |Register |Help |عضویت کتابخانه ها
Paper
Title

ارائه ساختاری جدید از ترانزیستورهای اثرمیدان در مقیاس نانو به منظور بالابردن قابلیت اطمینان

Year: 1397
COI: JR_TJEE-48-3_039
Language: PersianView: 177
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

Buy and Download

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این Paper را که دارای 6 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

Authors

مهسا مهراد - دانشکده فنی و مهندسی - دانشگاه دامغان
میثم زارعی - دانشکده فنی و مهندسی - دانشگاه دامغان

Abstract:

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می گردند. به منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفون در نظر گرفته می شوند. نواحی نوع N در کانال یک ناحیه تخلیه ایجاد می کنند که قابلیت جریان دهی ترانزیستور را افزایش می دهند. علاوه بر این، اکثر حفره های ایجادشده توسط اثر بدنه شناور، توسط این نواحی تخلیه می گردند. نواحی نوع P در اکسید مدفون کمک به کاهش دمای شبکه می کنند و راهی برای عبور گرما از قسمت فعال ترانزیستور به زیرلایه ایجاد می کنند. عملکرد ساختار پیشنهادی و ساختار ماسفت مرسوم توسط نرم افزار ATLAS شبیه سازی می شوند و نشان داده می شود که ترانزیستور پیشنهادی دارای عملکرد بهتری نسبت به ساختار متداول از نظر قابلیت جریان دهی، ماکزیمم دمای الکترون در کانال، میدان الکتریکی، جریان حالت خاموش، دمای شبکه و قابلیت تحرک الکترون می باشد. در کنار مزایای ذکرشده، جایگزینی بخشی از اکسید مدفون با سیلیسیم موجب افزایش خازن پارازیتی می گردد.

Keywords:

ترانزیستورهای اثرمیدان فلز-اکسید- نیمه هادی (ماسفت) , تکنولوژی سیلیسیم روی عایق , اثر بدنه شناور , دمای شبکه , میدان الکتریکی

Paper COI Code

This Paper COI Code is JR_TJEE-48-3_039. Also You can use the following address to link to this article. This link is permanent and is used as an article registration confirmation in the Civilica reference:

https://civilica.com/doc/890138/

How to Cite to This Paper:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the resources section:
مهراد، مهسا و زارعی، میثم،1397،ارائه ساختاری جدید از ترانزیستورهای اثرمیدان در مقیاس نانو به منظور بالابردن قابلیت اطمینان،https://civilica.com/doc/890138

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :

  • حامد نجفعلی زاده و علی اصغر اروجی، طراحی ساختاری از ... [Journal Paper]
  • علی اصغر اروجی، زینب رمضانی و عاطفه رحیمی فر، ترانزیستور ... [Journal Paper]
  • J. P. Colinge, Silicon-on-insulator technology: materials to VLSI, 3rd ed., ...
  • J. Baek, J. Kim, S. G. Kim, J. K. Moon, ...
  • M. Yoshimi, H. Hazama, M. Takahashi, S. Kambayashi, T. Wada, ...
  • M. Saremi, A. A. Kusha, S. Mohammadi, Ground plane fin-shaped ...
  • M. Saremi, B. Ebrahimi, A. A. Kusha, Process variation study ...
  • S. Cristoloveanu, S. Li, Electrical characterization of silicon-on-insulator materials and ...
  • S. Deb, N. B. Singh, N. Islam, S. K. Sarkar, ...
  • B. Manna, S. Sarkhel, N. Islam, S. Sarkar, S. K. ...
  • Q. Xie, C. J. Lee, J. Xu, C. Wann, J. ...
  • S. Selberherr, Analysis and simulation of semiconductor devices, Springer-Verlag, Wien-New ...
  • S. Cristoloveanu, Silicon on insulator technologies and devices: from present ...
  • Ali A. Orouji, S. E. Jamali Mahabadi, P. Keshavarzi, A ...
  • M. Mehrad, Controlling floating body effect in high temperatures: L-shape ...
  • A. Orouji, S. Heydari, M. Fathipour, Double step buried oxide ...
  • X. Luo, T. F. Lei, Y. G. Wang, G. L. ...
  • Ohata, Y. Bae, C. Fenouillet-Beranger, S. Cristoloveanu, Mobility enhancement by ...
  • J. Luo, J. Chen, Q. Wu, Z. Chai, J. Zhou, ...
  • Z. Qiuming, L. Qi, T. Ning, L. Yongchang, A high-voltage ...
  • H. Jeon, B. H. Lee, B. C. Jang, S. Y. ...
  • W. Chen, R. Cheng, D. W. Wang, H. Song, X. ...
  • Device simulator ATLAS, Silvaco International; 2007. ...
  • A. Orouji, M. K. Anvarifard, SOI MOSFET with an insulator ...
  • M. K. Anvarifard, Ali A. Orouji, Improvement of self-heating effect ...
  • A. Orouji, M. K. Anvarifard, Novel reduced body charge technique ...
  • J. Chen, L. Jiexin, W. Qingqing, C. Zhan, H. Xiaolu, ...
  • A. Orouji, A. Abbasi, Novel partially depleted SOI MOSFET for ...
  • Der, P. Ghedini, J. A. Martino, E. Simoen, C. Claeys, ...
  • Research Info Management

    Certificate | Report | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این Paper را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    Scientometrics

    The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:
    Type of center: دانشگاه دولتی
    Paper count: 1,599
    In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.

    Share this page

    More information about COI

    COI stands for "CIVILICA Object Identifier". COI is the unique code assigned to articles of Iranian conferences and journals when indexing on the CIVILICA citation database.

    The COI is the national code of documents indexed in CIVILICA and is a unique and permanent code. it can always be cited and tracked and assumed as registration confirmation ID.

    Support