بررسی اثر قطبش در تقویت کننده نوری نیمه هادی تنش

Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 369

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_KHRBA-4-16_003

تاریخ نمایه سازی: 30 تیر 1398

Abstract:

مقدمه توسعه کاربرد دستگاه های ارتباطی نیاز به انتقال حجم بالایی از داده ها را دارند که باعث افزایش سریع ترافیک شبکه های مخابراتی شده و توسعه ظرفیت شبکه های انتقال را گریزناپذیر کرده است. در این میان دستگاه های مخابرات نوری به دلیل دارا بودن پتانسیل بالای انتقال داده ها مورد توجه قرار گرفته اند. اولین مطالعه ها درباره تقویت کننده نوری نیمه هادی به بعد از اختراع لیزر نیمه هادی و ساختار گالیم آرسناید برمی گردد برای انتقال داده ها به فواصل دور نیازمندیم در فواصل مختلف سیگنال ارسالی را برای رسیدن به مقصد تقویت نماییم. به صورت کلی تقویت کننده های نوری به دو دسته زیر تقسیم میشوند • تقویت کننده های فیبری برای تقویت پالسهای نوری تضعیف شده، در فواصل طولانی در مسیر تعبیه می شوند. برای ساخت این نوع فیبر ماده ای مانند اربیوم به عنوان افزودنی به ناحیه مرکزی فیبر اضافه میشود. در حین کار این قسمت از فیبر در حالت تحریک اتمی قرار داده می شود و هنگامی که پالسهای تضعیف شده از این قسمت از فیبر عبور می کنند، با یک تبادل انرژی با اتم های تحریک شده، تقویت می شوند و بدین طریق تلفات ناشی از انتشار جبران میشود. • تقویت کننده نوری نیمه هادی SOA را می توان معادل یک لیزر در نظر گرفت که در آن فیدبک کاواک بسیار ضعیف شده است و به واسطه فرآیند گسیل تحریک شده سیگنال ورودی در طول ناحیه فعال تقویت می شود. در ساختار SOA نور ورودی به ناحیه فعال وارد و در راستای یک موج بر فعال تقویت و از انتهای این موج بر خارج می شود[1]. هدف اصلی در استفاده از SOA دستیابی به نرخ بیت بالا و توانایی مجتمع شدن (به دلیل بسیار کوچک بودن) است [2].

Authors

آرام قادری

کارشناس ارشد برق الکترونیک