محمد مهدی جعفری خواه - دانشجوی کارشناسی برق کنترل، دانشگاه پیام نور مرکز یزد، واحد یزد،
محمد حسین بهارستان تفتی - دانشگاه پیام نور مرکز یزد، واحد یزد

در این مقاله یک فرآیند تک مرحله ای حذف زیرلایه (لایه فرعی) موضعی (LSR) را برای ساخت ماژول کوچک فوتوولتاییک (PV) از نوع CMOS با قابلیت روشنایی از پشت را به کار گرفته ایم که مناسب کاربردهای ولتاژ بالا و توان پایین است. LSR به عنوان ارتقاء فناوری ماژول چند تراشه ای در نظر گرفته می شود و خلاء فیزیکی 50 میکرومتری را بین سلول های PV واقع بر روی تراشه برای عایق سازی الکتریکی فراهم می کند در حالی که از نیاز به مراحل زمان گیر برداشت و قرارگیری اجتناب می کند. اثباتی از مفهوم ماژول PV به ولتاژ مدار باز 12.5 ولت و جریان اتصال کوتاه در حد میکرو آمپر در یک ضریب شکل دهی کوچک (3.13V/mm2) دست یافته است. ساخت این ماژول کوچک PV برمبنای فرآیندهای استاندارد ساخت/ بسته بندی میکرو الکترونیک است و در نتیجه یکپارچگی با دیگر عناصر میکرو الکترونیک تضمین می شود.

نیمه رسانای اکسید فلزی مکمل، دستگاه فوتوولتاییک با قابلیت روشنایی از پشت، فرآیند سیستم های میکرو الکترومکانیکی