ایمان صابره ایوبی - کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق - دانشگاه صنعتی سهند - تبریز – ایران
حسن فرجی بگتاش - استادیار دانشکده مهندسی برق - دانشگاه صنعتی سهند - تبریز – ایران

در این مقاله، تقویت کننده ی تراهدایتی OTA با توان بسیار کم و بهره ی بالا در تکنولوژی μm 0.18 TSMC طراحی شده است. در مدار OTA طراحی شده از ساختار شبه تفاضلی استفاده شده و راه اندازی ترانزیستورهای ورودی از طریق گیت انجام گرفته است. همچنین، جهت بالابردن بهره حالت تفاضلی وشده از ساختار شبه تفاضلی استفاده شده و راه اندازی ترانزیستورهای ورودی از طریق گیت انجام گرفته است. همچنین، جهت بالابردن بهره حالت تفاضلی و کاهش بهره ی حالت مشترک، تقویت کننده پیشنهاد شده در کلاس AB طراحی شده است. جهت افزایش قابلیت جریان دهی ترانزیستورهای نوع P، بدنه آنها به ولتاژ مستقلی وصل شده است. تقویت کننده پیشنهاد شده با استفاده از روش خازن میلری سری شده با مقاومت خنثی ساز جبران شده است. تمامی ترانزیستورهای مدار در ناحیه ی زیر آستانه راه اندازی شده اند. بهره DC مدار برابر dB 97.76 بوده و با بار خازنی pF 20 در خروجی مدار، فرکانس بهره واحد و حاشیه فازی به ترتیب برابر با MHz 60.2ͦ 10.45 ارائه می دهد. این تقویت کننده تنها μW 19 توان از ولتاژ تغذیه 0.5 ولت مصرف می کند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که مدار ارائه شده از نظر بهره، فرکانس بهره واحد، و توان مصرفی نسبت به کارهای مشابه بهبود داشته است

تقویت کننده تراهدایتی، توان پایین ، بهره بالا، ولتاژ تغذیه ایی 0/5 ولت