اثر تابع کار فلزات مختلف گیت بر روی ترانزیستورهای FinFET
Publish place: Sixth National Congress on Electrical Engineering and Computer Engineering of Iran with a New Approach to New Energy
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 543
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF06_198
تاریخ نمایه سازی: 24 شهریور 1398
Abstract:
با پیشرفت تکنولوژی و نیاز به کوچک سازی هر چه بیشتر ترانزیستورهای ماسفت برای افزایش کارایی در مدارهای مجتمع، آثاری مخرب و منفی در مشخصات الکتریک و قابلیت اطمینان این ترانزیستورها بوجود می آید که به آثار کانال کوتاه معروف اند. این آثار مخرب غالبا به علت کاهش قابلیت کنترل کنندگی گیت بر ناحیه کانال بوجود می آید. در این مقاله ساختار جدیدی به نام ترانزیستور FinFET به صورت سیلیسیم روی عایق سه گیت ارائه شده است تا باا افزایش قابلیت کنترل کنندگی گیت باعث کاهش اثر کانال کوتاه در این نوع ترانزیستورها می شود.
Keywords:
Authors
حامد حبیبی
فارغ التحصیل مقطع کارشناسی دانشگاه صنعتی همدان