شبیه سازى و تحلیل مقایسه ای ترانزیستور های JLTFET و JLTFET با هدف تعیین میزان اثر پذیرى شاخص هاى مهم از مهندسى گیت
Publish place: Sixth National Congress on Electrical Engineering and Computer Engineering of Iran with a New Approach to New Energy
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 385
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF06_270
تاریخ نمایه سازی: 24 شهریور 1398
Abstract:
در این مقاله به ارائه و بررسی ترانزیستور اثر میدانی غیر پیوندی تونلی JLTFET و ترانزیستور اثر میدانی غیر پیوندی JLFET پرداخته شده است که با استفاده از شبیه سازی ایده های مهندسی گیت همچون استفاده از گیت چند فلزی در صدد بهبود پارامترهای الکتریکی ترانزیستور فوق مثل جریان روشنایی، جریان خاموشی، نسبت جریان روشناییبه خاموشی و... هستیم. با بررسی شبیه سازی های صورت گرفته، نتایج ساختارهای مختلف با یکدیگر مقایسه شده و ساختار بهبود یافته معرفی می شود
Keywords:
Authors
محمد جواد کوچک پور
کارشناس ارشد مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد رشت