حسین زبرجد - کارشناس الکترونیک دانشگاه هوایی شهید ستاری
محمدمهدی عابدی - کارشناس ارشد مهندسی برق الکترونیک دانشگاه هوایی شهید ستاری

در این مقاله قطب ها به صورت مختلط می باشند و به کمک المان های موجود سعی می شود که قطب ها در بهترین مکان قرار گیرند تا ضمن پایداری مدار، حاشیه فاز مناسب تامین گردد. برر اساس ساختار ارائه شده، یک تقویت کننده سه طبقه طراحی شده است. تقویت کننده طراحی شده تنها با خازن بر سطح 251 فمتو فاراد می تواند بهره 102 دی بی به همراه حاشیه فاز 63 درجه و فرکانس بهره واحد 3/4 مگاهرتز را برای بار 500 پیکوفارادی تامین سازد. تقویت کننده طراحی شده در تکنولوژی 90 نانومتر پیاده سازی شده است. ولتاژ تغذیه تقویت کننده طراحی شده 0/9 ولت و جریان مصرفی آن 16میکرو آمپر می باشد. باترکیب ساختارهای جبران سازی فرکانسی تطبیق امپدانس و کنترل ضریب میرایی ساختار جدیدی عرفی شده است که می تواند با استفاده از خازن جبران سازی کوچک یک بار خازنی بزرگ را به همراه حاشیه فاز و فرکانس بهره واحد مناسب راه اندازی کند.

جبران سازی تطبیق امپدانس، حاشیه فاز، پایداری، مکان صفر و قطب.