طراحی و شبیه سازی تقویت کننده توان در باند X با استفاده از ترانسفورماتور
Publish place: National Conference on Knowledge and Technology of Electrical Engineering, Computer and Mechanics of Iran
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 335
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
UTCONF03_114
تاریخ نمایه سازی: 24 شهریور 1398
Abstract:
در این مقاله طراحی تحلیل تقویت کننده توان با استفاده از فناوری CMOS؛ 0.18um- مربوط به شرکت TSMC انجام می شود. مدار پیشنهادی به صورت چند طبقه ترانزیستوری با روش تفاضلی در حالت کسکود به صورت ترکیبی با اتصال ترانسفورمر طراحی شده است که در باند فرکانسی X (8-12GHz) عملکرد مناسبی دارد. این مدار با هدف افزایش تقویت سیگنال در پهنای باند X طراحی شده است که کمیت های وابسته آن نیز همچون پایدای، عدد نویز، توان مصرفی کم و تطبیق امپدانسی و بالانس فرکانسی بهبود بخشیده شده است.
Keywords:
تقویت کننده توان , تقویت کننده با ترانسفورماتور , تقویت کننده با توان خروجی بالا , تقویت کننده توان در باند X
Authors
مهدی نصیری
استادیار دانشکده فناوری اطلاعات و ارتباطات دانشگاه جامع امام حسین (ع)
علی کوشکی جهرمی
کارشناسی ارشد دانشکده فناوری اطلاعات و ارتباطات دانشگاه جامع امام حسین (ع)