طراحی تقویت کننده کم نویز با توان مصرفی پایین در گیرنده های UWB بابکارگیری ترانزیستور HEMT
Publish place: 3rd International Conference on Electrical Engineering, Mechanical Engineering, Computer Science and Engineering
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 453
This Paper With 18 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EMECCONF03_086
تاریخ نمایه سازی: 7 مهر 1398
Abstract:
تقویت کننده کم نویز یکی از رقابت برانگیزترین مولفه در سیستم UWB است. تقویت کننده کم نویز در سیستم مخابراتی برای تقویت سیگنال گرفته شده از آنتن بکار می رود و اغلب در فاصله کمی از آنتن قرار می گیرد تا افت سیگنال در خطوط به حداقل ممکن برسد. هدف از انجام این پژوهش طراحی تقویت کننده کم نویز با توان مصرفی پایین در گیرنده های UWB با بکارگیری ترانزیستور HEMT می باشد. تحقیق حاضر از لحاظ هدف در زمره مطالعات کاربردی بوده و از لحاظ اجرا جزو مطالعات مدلسازی می باشد. جهت تجزیه و تحلیل داده ها و اطلاعات گردآوری شده از نرم افزار متلب استفاده شده است. نتایج بدست آمده حاکی از این امر است که مدار تقویت کننده با استفاده از ABCC ، دامنه دیاگرام Bode آن در تکنولوژی 0.18 um حدود 40 dB و حاشیه فاز آن تقریبا برابر با 62 درجه می باشد و برای تکنولوژی 90 nm دامنه آن برابر با 80 dB و حاشیه فاز آن برابر با 85 درجه می باشد. بنابراین میتوان گفت طراحی مدار با تکنولوژی 90 nm از لحاظ بهره، حاشیه فاز، نرخ سرعت چرخش وتوان مصرفی قابلیت بهتری را دارا می باشد.
Keywords:
Authors
محمود سمیعی مقدم
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد دامغان، دامغان ایران
صالح خازنی
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد دامغان، دامغان ایران