طراحی زیر لایه فوتونی مربعی و دایره ای شکل برای آنتن میکرواستریپ

آنتن های پچ به طور گستردهای برای کاربردهای مختلف با توجه به هزینه کم آنها ،مشخصات کم، سازگاری با تکنولوژی آی سی، سهولت ساخت، نصب و راه اندازی روی سطوح با اشکال متفاوت بکار میروند. هدف این مقاله بررسی روش جدید برای توسعه آنتن های مایکرواستریپ پهن باند با استفاده از زیرلایه های حاوی بلورهای فوتونی می باشد. در این پژوهش با استفاده از روش FDTD (حوزه زمان تفاضل محدود) به تجزیه و تحلیل آنتن پچ با و بدون عبور ساختار PBG ویژه، همراه با شبیه سازی مختلف پرداخته میشود. نتایج حکایت از آن دارد که امواج سطحی که در امتداد سطح پیش ماده و زیرآیند پراکنده میشوند به واسطه تاثیر فاصله نواری کریستال نوری متقاطع به صورت نوار ممنوعه، به وسیله این ساختار فاصله نواری PBG میتوانند جلوگیری کنند، که در عین حال میتوانند بیشتر انرژی امواج الکترومغناطیسی در زیرآیند و پیش ماده را ساطع نماید و در عین حال دارای تلفات بازگشتی کمتری (S11) در مقایسه با آنتن های پچ مرسوم باشد که بر این اساس، بازده و بهره بالایی بدست آمده و عملکرد آن تقویت یافته است. به واسطه این مزایا، استفاده از آنتنهای پچ کریستال نوری در حوزه هایی مثل ارتباطات ماهوارهای و الکترونیک هواپیمایی و غیره گسترش خواهد یافت.

Keywords:

آنتن میکرواستریپ , فراپهن باند , بلور فوتونی , فیلترینگ , باند