مریم خانی - گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری، تهران، ایران
زهرا آهنگری - گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری، تهران، ایران
حامد نعمتیان - گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام (ره) شهرری، تهران، ایران

در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی متجانس سیلیسیومی (Si) و نامتجانس InAs-Si نوع n مورد مطالعه و شبیه سازی قرار گرفته است. به منظور طراحی یک افزاره بهینه، اثر پارامترهای ساختاری و فیزیکی بر مشخصه های الکتریکی افزاره تونلی متجانس و نامتجانس به طور کامل مورد بررسی قرار گرفته است. مطابق نتایج بدست آمده، افزایش تراکم ناخالصی سورس احتمال تونل زنی را افزایش داده و موجب بهبود جریان حالت روشن می گردد. همچنین با کاهش ضخامت بدنه و ضخامت اکسید گیت به نسبت جریان حالت روشن به خاموش (10)10 و سوئینگ زیر آستانه 7mV/dec دست یافتیم. در ادامه، تحلیل آماری داده ها جهت مشخص نمودن میزان تغییرات جریان حالت روشن، جریان حالت خاموش و سوئینگ زیر آستانه نسبت به پارامترهای ساختاری افزاره انجام شده است. تابع کار گیت، آلایش سورس و ضخامت عایق گیت از پارامترهای تاثیر گذار بر مشخصه الکتریکی ترانزیستور تونلی نامتجانس می باشند. از طرفی مشخصه های الکتریکی افزاره کمترین حساسیت را به طول کانال دارند که این امر بکارگیری افزاره تونلی را در ابعاد نانو تسهیل می کند.

پیوند نامتجانس، ترانزیستور تونلی، تونل زنی نوار به نوار، سوئینگ زیر آستانه