پویا ترکمان - دانشگاه تربیت مدرس، دانشجو، کارشناسی ارشد
سارا درباری کوزه کنان - دانشگاه تربیت مدرس
محمد جواد محمد زمانی - دانشگاه تربیت مدرس، دکتری

در این مقاله، یک منبع بدون بایاس تراهرتز شبیه سازی گردیده است. در این منبع با استفاده از دو اتصال شاتکی نامتقارن بر روی لایه ای از جنس بلور GaAs رشد داده شده در دمای پایین، میدان داخلی لازم را ایجاد کرده ایم.با این کار نیاز به بایاس خارجی حذف می گردد، که یکی از مزایای این ساختار است. سپس با تابش یک پالس زمانی گوسی با عرض باریک و طول موج nm 800 بر روی نیمه هادی، باعث تولید حامل ها درون منطقه فعال می شویم. باریک بودن این پالس سبب تولید فرکانس های بالا در جریان تراهرتز تولیدی می شود که این جریان متغیر با زمان نیز موجب تولید و انتشار میدان تراهرتز به سمت کف افزاره می گردد. بکار بردن این ساختار برای تولید پالس به جای موج پیوسته، با توجه به کاهش شدید اثرات دمایی ناشی از تابش پیوسته نور لیزر بر افزاره، و نیز امکان افزایش توان لیزر ورودی نسبت به موج پیوسته، موجب دستیابی به توان های بیشتر گردیده و از طرف دیگر باریک بودن عرض پالس زمانی لیزر، موج تولید فرکانس های بالاتر و پهنای باند بزرگتر نسبت به موج پیوسته در موج تراهرتز خروجی می گردد. در این مقاله، شبیه سازی دو بعدی به روش عنصر متناهی انجام می شود.

منبع تراهرتز, نوررسانا, LTG, GaAs, امواج تراهرتز