افزایش چسبندگی سطحی لایه نازک اکسید گرافن روی بستر سیلیکون آبگریز
Publish place: Advanced materials and technologies، Vol: 7، Issue: 1
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 379
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JEMI-7-1_004
تاریخ نمایه سازی: 6 آبان 1398
Abstract:
در این تحقیق، لایههای اکسیدگرافن[1] باردار توسط روش رایج اصلاح شده هامر[2]، سنتز گردید. لایهنازک اکسیدگرافن به روش لایهنشانی الکتروفورتیک[3] توسط سوسپانسیون کلوئیدی آبی اکسیدگرافن روی زیرلایه سیلیکون[4] لایهنشانی شد. جهت بهبود میزان چسبندگی لایههای اکسیدگرافن روی سطح آبگریز سیلیکون، عملیات اصلاح سطح زیرلایه توسط ذرات نقره انجام گرفت. فرایند احیا اکسیدگرافن لایهنشانی شده در دمای ºC400 تحت جریان آرگونانجام شد. الگوی پراش اشعهی ایکس عاملدار شدن لایههای گرافیت با گروههای عاملی اکسیژنی و افزایش موفقیتآمیز فاصله بین صفحهای توسط متد هامر اصلاح شده را تایید میکند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی از نمونه لایهنشانی شده روی بستر سیلکون اصلاح نشده، لایهنشانی غیر یکنواخت و جزئی اکسیدگرافن را نشان میدهد. بهبود میزان چسبندگی و لایهنشانی یکنواخت لایهنازک اکسیدگرافن پس از اصلاح سطح سیلیکون توسط ذرات نقره حاصل شد. طیفسنجی رامان حاصل از این نمونه شکلگیری لایهنازک اکسیدگرافن احیا شده را تایید میکند.
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :