لایه های نازک ZnO ساخته شده به وسیله رسوب گذاری حمام شیمیایی: بررسی تاثیر زیرلایه های دانه دار

در این مقاله، تاثیردانه دار کردن زیرلایه بر رشد نانوسیم های اکسید روی مورد مطالعه قرار گرفته است. لایه های نازک ZnO به روش رسوب گذاری حمام شیمیایی در دمای پایین سنتز شده اند. لایه های رسوب گذاری شده در محلول نیترات روی کیفیت ساختاری و ریخت آنها به وسیله پراش پرتو ایکس ) XRD ( و میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی ) FESEM ( بررسی شده است که نشان می دهند که همه نمونه ها دارای ساختار ورتزیت هگزاگونال می باشند. نتایج نشان می دهند که دانه دار کردن زیرلایه برای رشد نانوسیم های ZnO حیاتی است، به طوری که نانوسیم های ZnO در زیرلایه هایی که دانه دار نشده اند، رشد نمی کنند.