علی واحدی - دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تبریز، گروه فیزیک، تبریز، ایران
محمد کوهی - دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تبریز، گروه فیزیک، تبریز، ایران
سمیه درویشی - دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تبریز، گروه فیزیک، تبریز، ایران

در این مقاله ساختار جدیدGaN/ALxGa1-xNبراساس قرار دادن یک ناراستی در درون نقطه کوانتومی کروی ارائه شده است. اثر تغییرات دما روی پذیرفتاری نوری مرتبه سو م با حل عددی معادله شرودینگر مستقل از زمان بررسی شده است. استفاده از معادلات وابسته به دما برای چگالی حاملین بار موثر باند رسانش، گاف انرژی و جرم موثر منظور شده است . نتایج نشان می دهند با افزایش دما مقدار پذیرفتاری نوری مرتبه سوم افزایش می یابد . این نتیجه برای کاربردهای صنایع الکترواپتیک اهمیت زیادی دارد.