بهبود گسیل الکترونی نانولوله های کربنی با رشد آنها بر روی نانولوله های دی اکسید تیتانیوم به علت تشکیل نانوساختار دوگانه

با رشد نانولوله های کربنی ( CNTs) بر روی نانولوله های دی اکسید تیتانیوم ( TiO2 ) و ایجاد ساختار دوگانه، بهبود قابل توجه گسیل الکترونی آنها را نسبت به CNT ها، تا افزایش 4 برابری جریان گسیلی گزارش کرده ایم. این رخداد با وجود گسیل الکترونی ضعیف نانولوله های ( TNTs) TiO2 است. CNTs را با لایه نشانی لایه نیکل به روش تبخیر فیزیکی روی TNTs که به روش آندیکردن سنتز کردهایم، به روش لایه نشانی بخار شیمیایی بهبود یافته با پلاسما ( PECVD) رشد دادیم. با بررسی دو مورفولوژی متفاوت TNTs، نشان دادیم در محلول الکترولیت %98 اتیلن گلیکول EG) )، نانولوله های بسیار بلند (بیشتر از (8 µm و باریک (30- 60 nm) با طولهای کاملا یکنواخت سنتز میشوند که بهترین بهبود گسیل الکترونی را در نانوساختار دوگانه نتیجه میدهند.