شبیه سازی بازدهی سلول خورشیدی گالیوم آرسناید با لایه پنجره AlGaAs
Publish place: Iranian Physics Conference
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 283
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC93_337
تاریخ نمایه سازی: 5 آذر 1398
Abstract:
دراین پژوهش سلول خورشیدی با ساختار GaAs به همراه لایه پنجرهAlGaAs مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به اهمیت نحوه انتقال حامل ها در یک قطعه نیمه هادی وتاثیر آن بر بازدهی سلولهای خورشیدی،عوامل مهمی چون اثر تغییر ضخامت، تراکم ناخالصی لایه ها و بازتاب سطحی بااستفاده از نرم افزار silvacoمورد بررسی قرار گرفته و ترسیم شده اند.همچنین مزیت استفاده از لایه پنجره AlGaS نسبت به InGaP شرح داده شده است. در نهایت نمودارهای ولتاژ - جریان سلول پایه با سلولهایی که در آنها تغییر ضخامت اعمال گردیده به صورت عددی و گرافیکی مقایسه شده است.
Authors
معراج رجایی
گروه لیزر و فوتونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان، کاشان
سیدمحمدباقر قرشی
گروه لیزر و فوتونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان، کاشان