نشاندار کردن اکسیدگرافین با نانوذرات اکسیدتنگستن
Publish place: Iranian Physics Conference
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 496
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC93_413
تاریخ نمایه سازی: 5 آذر 1398
Abstract:
نانوذرات اکسیدتنگستن با استفاده از روش قوس الکتریکی در حضور محلول اکسیدگرافین در دو جریان قوس متفاوت تولید شدند. نمونه های آماده شده به وسیله میکروسکوپ الکترون عبوری ) TEM (، طیف سنجی تبدیل فوریه مادون قرمز ) FTIR (، پلاسمای جفت شده القایی ( ICP ( و طیفنگاری فرابنفش مرئی ) - UV-Vis ( مشخصه یابی گردیدند. نتایج نشان داد که با استفاده از روش قوس الکتریکی، اکسیدگرافین با نانوذرات اکسیدتنگستن نشاندار شده و پیوند شیمیایی بین اکسیدگرافین و نانوذرات اکسیدتنگستن شکل گرفته است. میانگین اندازه نانوذرات تنگستن بر روی لایه های اکسیدگرافین در حدود 25 نانومتر است.
Authors
انسیه آدینه
دانشکده علوم دانشگاه زنجان، کیلومتر ۶ جاده تبریز، زنجان
رضا رسولی
دانشکده علوم دانشگاه زنجان، کیلومتر ۶ جاده تبریز، زنجان
رضا آرام
دانشکده علوم دانشگاه زنجان، کیلومتر ۶ جاده تبریز، زنجان
روح اله کریمی
دانشکده علوم دانشگاه زنجان، کیلومتر ۶ جاده تبریز، زنجان