بررسی انرژی بستگی یک ناخالصی هیدروژن گونه در یک نانو سیم کوانتومی در حضوریک میدان الکتریکی خارجی
Publish place: Iranian Physics Conference
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 217
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC93_420
تاریخ نمایه سازی: 5 آذر 1398
Abstract:
با استفاده از تقریب جرم موثر روش وردشی برای محاسبه انرژی بستگی حات پایه یک ناخالصی هیدروژن گونه در یک سیم کوانتومی نیمه رسانا درحضور یک میدان الکتریکی عمود بر محور سیم بکار گرفته شده است.دراین مقاله نتایج برای انرژی بستگی بر حسب میدان الکتریکی و نیزمکان ناخالصی ارائه شده است. نتایج نشان می دهد که اثر میدان الکتریکی بر روی انرژی بستگی قابل توجه بوده وبه مکان ناخالصی بستگی دارد، بنابر این به کمک میدان الکتریکی و جایگاه ناخالصی در نانو سیم می توان بسیاری از ویژگی های نانو وایر را تحت کنترل در آورد.
Authors
عباس شاه بندی قوچانی
دانشگاه فرهنگیان ، تهران، بلوار فرحزادی، تقاطع نیایش، خیابان تربیت معلم
اسعد کوهی فایق
آموزشکده فنی پسران شهرکرد ، شهرکرد، جنب صدا و سیما