عباس قاسم پوراردکانی - بخش فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شیراز، میدان ارم، شیراز
طاهره کلانتری - بخش فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شیراز، میدان ارم، شیراز
حمید نادگران - بخش فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شیراز، میدان ارم، شیراز

در این مقاله یک بلور فوتونی یک بعدی شامل دو لایه ی نقص که یک لایه ی غیرخطی را در بر گرفته اند در نظر میگیریم. سپس با استفاده از روش ماتریس انتقال بهبود یافته، اثرات تغیییر ضریب شکست و ضخامت لایه ی نقص را بر آستانه دوپایداری نوری بررسی میکنیم. در ابتدا ضخامت لایه ی نقص را ثابت در نظر گرفته و به ازای مقادیر مختلف ضریب شکست لایه ی نقص، منحنیهای شدت خروجی بر حسب شدت ورودی محاسبه میشود. مشاهده میشود که آستانه ی دوپایداری شدیدا به ضریب شکست لایه ی نقص بستگی دارد و مقدار بهینه برای ضریب شکست به دست می آید. سپس ضریب شکست لایه ی نقص را برابر با مقدار بهینه در نظر گرفته و برای ضخامتهای مختلف، منحنی دوپایداری رسم میشود. نتایج نشان میدهد که ضخامت لایه ی نقص به شدت بر روی آستانه ی دو پایداری تاثیر میگذارد و ضخامت بهینه به دست می آید.