بنین شاکری جویباری - استادیار، سازمان انرژی اتمی، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، پژوهشکده فیزیک و شتابگرها، تهران، ایران

در این مقاله، نانو و میکرو لوله های مسی در آشکارسازهای ردپای هسته ای سونش شده با استفاده از روش انباشتالکترولس رشد داده شده اند. آشکارساز ردپای هسته ای سلولز نیترات با یون سنگین U(238) با انرژی 16/43MeV/uو چگالی (ions/cm(2؛ (5)10 (4)10 در شتابدهنده GSI ، دارمشتات پرتو دهی شدند. بعد از پرتودهی نمونه ها با سونششیمیایی ردهای نهان تشکیل شده در آشکارساز، قالب هایی متخلخل با حفره های استوانه ای باز با قطر چند صد نانومتر تهیه شدند. نانو و میکرو لوله ها در حفره های استوانه ای تشکیل شده در این قالب های یونی سونش شده و متخلخلرشد داده می شوند. رشد نانو و میکرو لوله ها با روش الکترولس شامل سه مرحله مهم، پیش فعالسازی، فعالسازی حفرهها و سپس مرحله انباشت برای رشد لوله ها می باشند. در این کار تحقیقاتی شرایط بهینه هر مرحله برای رشد نانو ومیکرو لوله های مسی تعیین شد و همچنین تاثیر دما بر روی ساختار نانو و میکرو لوله های مسی رشد داده شده موردبررسی قرار گرفت.

نانو و میکرو لوله های مسی، آشکارساز ردپای هسته ای سونش شده، روش انباشت الکترولس