فاطمه باورسی ها - گروه مهندسی مواد و سرامیک، دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره)، قزوین، ایران
مهدی منتظری پور - دپارتمان مهندسی مواد و شیمی، مرکز آموزش عالی فنی و مهندسی بوئین زهرا، بوئین زهرا، ایران
مسعود رجبی - گروه مهندسی مواد و سرامیک، دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره)، قزوین، ایران
سمیرا غلامی - گروه مهندسی مواد، دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره)، قزوین، ایران

در این تحقیق، پوشش دهی ذرات فوتوکاتالیستی تیتانیا بر روی کامپوزیت مغناطیسی SrFe12O19/SiO2 با موفقیت به روش سل- ژل انجام پذیرفت. بدین منظور، ابتدا ذرات هگزا فریت استرانسیم به عنوان هسته مغناطیسی سخت در این کامپوزیت، به روش هم رسوبی با استفاده از نسبت های مولی Fe3+/Sr2+، 11 و 12 و سپس انجام کلسیناسیون در دماهای مختلف تهیه گردید. دیده شد که ذرات تک فاز بلور هگزا فریت استرانسیم با بهره گیری از نسبت مولی Fe3+/Sr2+=12 و پس از کلسیناسیون در دمای 950 درجه سانتی گراد به دست می آیند. در مرحله بعدی، پوشش دهی سیلیس با استفاده از پیش ماده تترا اتیل اورتو سیلیکات (TEOS) و به روش استوبر انجام شد. در مرحله نهایی، پوشش دهی تیتانیا بر روی کامپوزیت SrFe12O19/SiO2 با استفاده از پیش ماده تیتانیم n-بوتوکساید (TNBT) حاصل گردید. کامپوزیت های تهیه شده با استفاده از الگوی پراش پرتو ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدانی (FESEM)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM)، طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس (EDX) و مغناطیس سنج ارتعاشی (VSM) مشخصه یابی شدند. نتایج، ساختار هسته/ پوسته/ پوسته کامپوزیت SrFe12O19/SiO2/TiO2 را تایید نمود. آنالیز خواص مغناطیسی نشان داد که مغناطش اشباع (Ms) پودر هگزا فریت استرانسیم به صورت emu/g 58 به دست آمده است که بر اثر پوشش دهی پی در پی پوشش های SiO2 و TiO2 ، این مقدار به ترتیب به emu/g 56 و emu/g 37 رسید.

هگزا فریت استرانسیم , کامپوزیت مغناطیسی , نانوساختارهای هسته/پوسته/پوسته , تیتانیا , سیلیس